С 07.07.14 г. по 12.07.14 г. в Иркутске состоялась X Конференция и IX Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностике кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. На конференции сотрудники нашего предприятия выступили с докладами по темам:
— «Разработка технологии создания эпитаксиальных структур нитрида галлия на кремнии для мощных СВЧ p-i-n диодов» (докладчик: Меженный М.В.)
— «Преимущество использования высокоомных подложек БЗП кремния р-типа для изготовления p-i-n диодов» (докладчик: Меженный М.В.)
— «Разработка серии кремниевых ультрастабильных прецизионных стабилитронов с повышенной временной и температурной стабильностью» (докладчик: Ларюшкин А.С.)
В июне 2014 г. НИТУ «МИСиС» и ОАО «Оптрон» (в качестве индустриального партнера) выиграли конкурсный отбор в рамках мероприятия 1.2. ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» по разработке маломощного радиационно-стимулированного источника питания на основе кремниевой p-i-n структуры.