АО «Оптрон» в рамках федерального проекта «Разработка и внедрение электронной и радиоэлектронной продукции» реализует комплексный проект «Разработка лавинных фотодиодов на основе кремния и InGaAs для применения в связи и дальнометрии»
Дата начала комплексного проекта: 01 октября 2022 г.
Дата окончания комплексного проекта: 30 сентября 2028 г.
Дата окончания стадии НИОКР: 31 декабря 2024 г.
Наименование продукции:
- Лавинный фотодиод на основе кремния,
- Лавинный фотодиод на основе InGaAs.
Технические требования к создаваемой продукции
Название | Наименование параметра | Параметр |
ЛФД InGaAs | Диаметр фоточувствительной области, мм | 0.2 |
Спектральный диапазон, мкм | От 0.9 до 1.7 | |
Пиковая длина волны чувствительности, мкм | 1.55 | |
Темновой ток, нА | Максимальное значение – 200 | |
Ширина полосы пропускания, ГГц | Минимальное значение – 0.7 | |
Напряжение пробоя, В | Минимальное значение 40 | |
Коэффициент усиления | Минимальное значение – 20 | |
ЛФД Si | Диаметр фоточувствительной области, мм | 0.5 |
Спектральный диапазон, мкм | От 0.4 до 1.1 | |
Пиковая длина волны чувствительности, мкм | 0.9 | |
Темновой ток, нА | Максимальное значение – 25 | |
Ширина полосы пропускания, ГГц | 0.3 | |
Напряжение пробоя, В | Минимальное значение – 180 | |
Коэффициент усиления | 50 |
План-график реализации комплексного проекта
№ п/п | Наименование ключевого события (мероприятия) | Срок выполнения ключевого события (мероприятия)[1] | Результат выполнения (образец, макет, стенд, отчет и др.) с указанием требований к нему | ||||
01.10.2022 | 30.09.2023 | 30.09.2024 | 30.09.2025 |
|
| ||
I. Разработка продукции | |||||||
1 | Разработка конструкции кремниевого ЛФД и InGaAs ЛФД Разработка технологий, необходимых для изготовления кремниевого ЛФД. Разработка технологий, необходимых для изготовления InGaAs ЛФД |
|
| 31.12.2023 |
| Научно-технический отчет Чертеж эпитаксиальной структуры. Топология ЛФД. ТЗ на выращивание эпитаксиальной структуры ЛФД. ТЗ на процессирование ЛФД. Маршрутная карта выращивания эпитаксиальных структур. Чертежи фотошаблонов. Фотошаблоны. Маршрутная карта процессов фотолитографии. Маршрутная карта процессов диффузии. Маршрутная карта процессов имплантации. Маршрутная карта процессов осаждения Si3N4. Маршрутная карта процессов осаждения SiO2. Маршрутная карта процессов травления. Маршрутная карта процессов металлизации. Макетные образцы. ПМ испытаний макетных образцов. Протоколы испытаний Научно-технический отчет. Измерительный стенд. |
|
2 | Разработка РКД и проекта ТУ кремниевого ЛФД и InGaAs ЛФД. |
|
| 30.04.2024 |
| Рабочий комплект КД, ТД и ТУ. Программа и методика испытания. |
|
3 | Изготовление опытной партии ЛФД. Проведение предварительный испытаний. Корректировка КД и ТУ ЛФД |
|
|
| 30.11.2024 | Научно-технический отчет. Опытные образцы ЛФД. Протоколы испытаний. Технический акт, акт сдачи приемки. КД и ТУ с литерой «О». |
|
4 | Приемка работы |
|
|
| 31.12.2024 | Опытные образцы ЛФД. Протоколы испытаний. Комплект КД и ТД. Технический акт, акт сдачи приемки. |
|
II. Организация производства продукции и вывода на рынок | |||||||
1 | Организация производства |
|
| по 31.09.2024 |
| Создание и модернизация 4 высокопроизводительных рабочих мест |
|
2 | Реализация разработанной продукции |
|
|
| с 01.01.2025 |
|
|
Привлечение соисполнителей в рамках комплексного проекта.
№ п/п | Наименование соисполнителя | Роль в реализации комплексного проекта (выполняемые функции) | Ожидаемый результат от привлечения соисполнителя |
1 | НИУ «МИЭТ» | Выполнение технологических операций по процессированию лавинных фотодиодов на основе InGaAs | Разработка маршрутных карт, изготовление полупроводниковых пластин с приборами |
2 | АО «НПП «Пульсар» | Проведение замеров технических параметров и проведение испытаний на спецвоздействия | Протоколы испытаний |
Значения результатов предоставления Субсидии и показателей, необходимых для достижения результата предоставления Субсидии.
- Объем производства и реализации продукции, создаваемой в рамках комплексного проекта[2] (с НДС, накопленным итогом), рублей: 102 552 000,00
- Количество вновь создаваемых и (или) модернизируемых в рамках реализации комплексного проекта высокотехнологичных рабочих мест (накопленным итогом), 4 ед.;
- Количество создаваемых результатов интеллектуальной деятельности, охраняемых патентами или иными охранными документами (не менее одного) и (или) охраняемых в качестве секретов производства (ноу-хау) (накопленным итогом), 3 ед.
- Объем экспорта продукции, созданной в рамках реализации комплексного проекта (накопленным итогом), долларов США: не планируется.