Цены на изделия
Условия для заключения договора поставки

2Д531А-6, 2Д531Б-6


Бескорпусные кремниевые меза-эпитаксиальные с p-i-n структурой коммутационные полупроводниковые диоды. Предназначены для применения в составе гибридных интегральных микросхем 30 -400 МГц диапозона частот.
 
КД407А

Кремниевые эпитаксиально-планарные  коммутационные p-i-n диоды в металло-стеклянном корпусе, предназначенные для коммутации высокочастотных сигналов в диапазоне частот от 30 до 300 МГц.
 
2Д420А

Кремниевые эпитаксиально-планарные  коммутационные p-i-n диоды в металло-стеклянном корпусе, предназначенные для коммутации высокочастотных сигналов в диапазоне частот от 30 до 300 МГц.