Цены на изделия
Условия для заключения договора поставки

2А543А-5 2А543А-6 2А543Б-6

Бескорпусные кремниевые меза-эпитаксиальные с p-i-n структурой переключательные полупроводниковые СВЧ диоды предназначенные для применения в составе гибридных интегральных микросхем 0,3-18 ГГц
 
2А542А1


Диоды СВЧ диапазона волн, переключательные в металлокерамическом корпусе, предназначены для работы в коммутационных устройствах СВЧ диапазона волн в аппаратуре специального назначения.
 
2А541А-6 *2А541Б-6

Кремниевые эпитаксиальные переключательные полупроводниковые СВЧ диоды типов 2А541А-5, Б-6 предназначенные для применения в составе гибридных интегральных микросхем .
 
2А537А *КА537А *КА537Б


Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды переключательные , кремниевые диффузионные  типа 2А537А в металлокерамическом корпусе типа КТ-16-1 ( ГОСТ 18472-82 )  с изолированным тепло отводом , предназначенные для работы в коммутационных устройствах сантиметрового, дециметрового  метрового и КВ диапазонов волн.
 
2А520А *КА520А *КА520Б


Сверхвысокочастотные диоды переключательные , кремниевые эпитаксиальные   с p-i-n  структурой в металлокерамическом корпусе, предназначенные для работы в коммутационных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов волн .
 
2А515А *КА515А


Сверхвысокочастотные диоды переключательные , кремниевые эпитаксиальные   с p-i-n  структурой в металлокерамическом корпусе типа КД-105 , предназначенные для работы
в коммутационных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов волн .
 
2А560А

   Бескорпусные кремниевые планарно-эпитаксиальные p+- n - n+  структурой ограничительные полупроводниковые СВЧ диоды предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах, микросборках и блоках 3 - 11 ГГц диапазона частот.
 
2А550А-5


Бескорпусные кремниевые планарна-эпитаксиальные p+-n-n+ ограничительные СВЧ диоды типа 2А550А-5 , предназначенные для внутреннего монтажа в гибридных интегральных схемах, микросборках и блоках в аппаратуре СВЧ.
 
2A522A-2, 2А522А-5

Бескорпусные кремниевые планарно-эпитаксиальные ограничительные СВЧ диоды, предназначенные для внутреннего монтажа в гибридных интегральных схемах, микросборках и блоках в аппаратуре СВЧ. Диоды поставляются с гибкими выводами на кристаллодержателе (2А522А-2) и с контактными площадками без кристаллодержателя, без выводов (2А522А-5).

 
2А534А, 2А534Б, КА534А, КА534Б


Кремниевые планарно-эпитаксиальные ограничительные СВЧ диоды   в металлокерамическом корпусе КД102,  предназначенные для применения в устройствах защиты приемников, стабилизации, ограничения  и регулировки уровня СВЧ мощности в сантиметровом и дециметровом диапазоне длин волн.
 
2Д413А, 2Д413Б, КД413А, КД413Б

Кремниевые эпитаксиальные регулируемые резистивные ВЧ p-i-n диоды в металлическом корпусе, предназначены для работы в аппаратуре широкого применения.
 
2Д531А-6, 2Д531Б-6


Бескорпусные кремниевые меза-эпитаксиальные с p-i-n структурой коммутационные полупроводниковые диоды. Предназначены для применения в составе гибридных интегральных микросхем 30 -400 МГц диапозона частот.
 
КД407А

Кремниевые эпитаксиально-планарные  коммутационные p-i-n диоды в металло-стеклянном корпусе, предназначенные для коммутации высокочастотных сигналов в диапазоне частот от 30 до 300 МГц.
 
2Д420А

Кремниевые эпитаксиально-планарные  коммутационные p-i-n диоды в металло-стеклянном корпусе, предназначенные для коммутации высокочастотных сигналов в диапазоне частот от 30 до 300 МГц.
 
2Д419А, 2Д419Б, 2Д419В, КД419А, КД419Б, КД419В, КД419Г

Кремниевые  n-типа проводимости эпитаксиально-планарные универсальные диоды с барьером Шоттки в стеклянном корпусе, предназначенные для детектирования сигналов диапазона ПЧ в схеме линейного детектора в аппаратуре специального назначения.
 
2А509А, 2А509Б, КА509А, КА509Б


Сверхвысокочастотные диоды переключательные, кремниевые эпитаксиальные   с  p-i-n  структурой в металлокерамическом корпусе типа КД-105, предназначенные для работы в коммутационных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов волн.
 
2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б


Сверхвысокочастотные диоды переключательные, кремниевые эпитаксиальные с  p-i-n  структурой в металлокерамическом корпусе типа КД-105, предназначенные для работы в коммутационных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов волн.
 
2А207А-6


Бескорпусные кремниевые выпрямительные диоды с барьером Шоттки  2А207А-6  предназначенные для применения в режиме линейного детектирования в составе гибридных интегральных схем диапазона  0,3-3 ГГц.
 
2А120А, КА120А, 2А120АР, КА120Б, 2А120АГ, КА120В

Сверхвысокочастотный диод  смесительный, кремниевый планарно-эпитаксиальный с барьером Шоттки в металлостеклянном корпусе типа КД-1, предназначен для работы в диапазоне 0,3–18 ГГц.
 
3А112А, 3А112АР, 3А112АЧ

Сверхвысокочастотный диод , арсенидо-галлиевый планарно-эпитаксиальный , смесительный с барьером Шоттки   типа 3А112А  в металлостеклянном корпусе типа КД-1-3  Предназначен для работы в гибридных интегральных схемах, микромодулях, узлах и блоках  3-х сантиметрового диапазона длин волн.
 
АА112А, АА112Б

Сверхвысокочастотный диод , арсенидо-галлиевый планарно-эпитаксиальный , смесительный с барьером Шоттки   типа АА112А  в металлостеклянном корпусе типа КД-1-3 , предназначен для работы в гибридных интегральных схемах (ГИС) , микромодулях, узлах и блоках  3-х сантиметрового диапазона длин волн.
 
 

Товары 1 - 21 из 21
Начало | Пред. | 1 | След. | Конец | По стр.