Диод 2Д531А-6, 2Д531Б-6

Бескорпусные кремниевые меза-эпитаксиальные с p-i-n структурой коммутационные полупроводниковые диоды, предназначенные для применения в составе гибридных интегральных микросхем 30-400 МГц диапазона частот

Обозначение контактных площадок показано условно

Масса не более 0,03 г

Основные электрические параметры

Наименование параметра, (режим измерения ), единица измерения	Буквенное обозначение	Норма				Температура, °С
		2Д531А-6		2Д531Б-6
		Не менее	Не более	Не менее	Не более
Общая емкость диода, пФ Uобр=50 В, fизм=10 МГц	СД		0,6		0,6	25±10
Прямое сопротивление потерь, Ом Iпр=20 мА, fизм=50 МГц	rпр		0,6		0,6	25±10
Пробивное напряжение, В Iпр=10 мкА	Uпроб	150		150		25±10
Постоянное прямое напряжение, В Iпр=20 мА	Uпр		1		1	25±10
Обратное сопротивление потерь, кОм Uобр=40 В, fизм=50 МГц	Rобр	600				25±10
Накопленный заряд, нКл Iпр=20 мА, Uобр=100 В	Qнк	10				25±10
Коэффициент 2-ой и 3-ей гармоник при прямом включении, дБ Iпр=65 мА, fизм=50 МГц, Ризм=200 мВт 2-ая гармоника 3-ья гармоника	КГ2, обр КГ3, обр		-100 -100
Коэффициент 2-ой и 3-ей гармоник при обратном включении, дБ Uобр=40 В, fизм=50 МГц, fизм=300 МГц, Ризм=200мВТ 2-ая гармоника 3-ья гармоника	КГ2, обр КГ3, обр		-90 -90