Диоды полупроводниковые свервысокочастотные ограничительные кремниевые планарно-эпитаксиальные p+-n-n+ типа 2А560А в металло-керамическом корпусе, предназначенные для работы в защищенных устройствах диапазона частот 3-11 ГГц в аппаратуре специального назначения.
Масса не более 0,2 г
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
| Наименование параметра, единица измерения, режим измерения |
Буквенное обозначение | Норма | Температура, °С | |
| Не менее | Не более | |||
| Пробивное напряжение, В, Iобр= 10 мкА |
Uпроб | 55 | 150 | 25±10 |
| Эффективное время жизни неравно- весных носителей заряда, нс Iпр= 10 мА; Uобр= 10 В |
τэфф | 80 | 25±10 | |
| Нормируемое постоянное обратное напряжение, В, Iобр≤ 5 мкА |
Uнрм | 50 | 25±10 | |
| Постоянное прямое напряжение, В Iпр= 100 мА |
Uпр | 0,85 0,9 0,75 |
1,2 1,25 1,1 |
25±10 -60±3 125±3 |
| Прямое сопротивление потерь, Ом Iпр= 10 мА; f= 500 МГц |
rпр | 1,5 | 25±10 | |
| Общая емкость диода, пФ, Uобр= 30 В |
СД | 0,30 | 0,45 | 25±10 |
| Тепловое сопротивление, переход-корпус диода,ºС/Вт (односторонний теплоотвод) |
RƟ пер-кор | 30 | 25±10 | |
| Емкость корпуса, пФ | Скор | 0,21 | 0,25 | 25±10 |
| Индуктивность диода, нГн | Lп | 0,5 | 25±10 | |
| Время тепловой релаксации, мкс | τт | 20 | 25±10 | |