Сверхвысокочастотный диод, арсенидо-галлиевый планарно-эпитаксиальный, смесительный с барьером Шоттки типа 3А112А в металлостеклянном корпусе типа КД-1-3 Предназначен для работы в гибридных интегральных схемах, микромодулях, узлах и блоках 3-х сантиметрового диапазона длин волн.
Масса диодов не более 0,035 г.
Основные электрические параметры
| Наименование параметра, (режим измерения), единица измерения | Буквенное обозначение | Норма | Температура °С | |
| Не менее | Не более | |||
| Потери преобразования, (Rм=400 Ом, Rн=100 Ом, Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см), дБ | L прб | 6,0 7,5 7,5 |
25±10 -60±3 125±5 |
|
| Нормированный коэффициент шума (Rн=100Ом, Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см) | F норм | 7,0 | 25±10 | |
| Выходное сопротивление(Rн=100 Ом, Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см), Ом | rвых | 300 | 550 | 25±10 |
| Коэффициент стоячей волны по напряжению (Rн=100Ом ,Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см) | КСВ | 1,8 | 25±10 | |
| Выпрямленный ток Rн=100Ом ,Р=3 мВт, λ=3,2±0,06 см) | Iвп | 1,0 | 2,5 | 25±10 |