Кремниевые эпитаксиальные переключательные полупроводниковые СВЧ диоды типов 2А541А-5, Б-6 предназначенные для применения в составе гибридных интегральных микросхем.
Основные электрические параметры
Наименование параметра, (режим измерения), единица измерения |
Буквенное обозначение |
Норма |
Температура °С |
|||
2А541 А-6 |
2А541 Б-6 |
|||||
Не менее |
Не более |
Не менее |
Не более |
|||
Пробивное напряжение при обратном токе 10 мкА, В |
Uпроб |
300 |
300 |
25±10 |
||
Критическая частота при I пр= 100мА,Uобр=100В, ГГц |
F кр. |
400 |
400 |
25±10 |
||
Накопленный заряд при I пр=100 мА, нКл |
Q нк |
60 |
150 |
60 |
150 |
25±10 |
Прямое сопротивление потерь диода при Iпр=100мА Ом |
R пр |
1,3 |
1,3 |
25±10 |
||
Общая емкость диода, пФ |
Сд |
0,15 |
0,22 |
0,18 |
0,25 |
25±10 |
Схема расположения выводов
* — выпускаются предприятием под заказ потребителей и на договорных условиях.