Сверхвысокочастотный диод смесительный, кремниевый планарно-эпитаксиальный с барьером Шоттки в металлостеклянном корпусе типа КД-1, предназначен для работы в диапазоне 0,3–18 ГГц.
Масса диодов не более 0,035 г.
Основные электрические параметры
| Наименование параметра, единица измерения, режим измерения | Буквенное обозначение | Норма | |
| не менее | не более | ||
| Потери преобразования, дб | Lпрб | 5,5 | |
| Нормированный коэффициент шума, дб | Fнорм | 7,0 | |
| Выходное сопротивление, Ом | rвых | 200 | 500 |
| Коэффициент стоячей волны по напряжению | Kст. U | 1,8 | |
| Выпрямленный ток, мА | Iвп | 0,5 | 2,5 |
Измерение параметров производится при:
- мощность гетеродина -Р1 = 1,5 мВт;
- fизм = 9,375 ГГц, fпрм = 30 МГц;
- Rпос = 100 Ом.
Схема расположения выводов
